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　　偷吃别人的屎犯法吗，偷吃别人的屎违法吗ong>美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng偷吃别人的屎犯法吗，偷吃别人的屎违法吗)公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施(shī)安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市场(chǎng)收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游市场的(de)供应优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益(yì)。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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