大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我国(guó)关键信息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中(一方水等于多少吨水，一方水等于多少吨水zhōng)国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，20一方水等于多少吨水，一方水等于多少吨水21 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美(měi)光(guāng)等(děng)国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国(guó)内国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 一方水等于多少吨水，一方水等于多少吨水