大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键(ji徐海为是谁？àn)信息基础设施的(de)运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题(tí)危害国家关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平(píng)台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过(guò)美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆(yuá徐海为是谁？n)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到(dào)限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支(zhī)合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入(rù)美国(guó)限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 徐海为是谁？