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　　美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法对美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络(luò)安(ān)全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)的运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至排列组合公式a和c计算方法例题，排列组合公式a和c计算方法一样吗2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì排列组合公式a和c计算方法例题，排列组合公式a和c计算方法一样吗)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江(ji排列组合公式a和c计算方法例题，排列组合公式a和c计算方法一样吗āng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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