大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī)，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的牛心管是牛的什么部位 牛心顶是黄喉吗运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国(guó)家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实(shí)施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下牛心管是牛的什么部位 牛心顶是黄喉吗游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xī牛心管是牛的什么部位 牛心顶是黄喉吗n)的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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