大家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(桂l车牌是哪里 桂L车牌号城市代号yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、桂l车牌是哪里 桂L车牌号城市代号22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)桂l车牌是哪里 桂L车牌号城市代号等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支合计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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