大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)对(duì)美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司产品存(cún)在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络(luò)安(ān)全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题(tí)危害国(guó)家关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护(hù)国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人(rén)民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如r在数学集合中是什么意思啊，r在数学集合中表示什么果美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下(xià)游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jir在数学集合中是什么意思啊，r在数学集合中表示什么ā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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