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　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础设施的(de)运(yùn)营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn华大基因是国企吗)行(xíng)网络安全(quán)审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国(guó)家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应(yīng)商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上(shàng)下(xià)游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)华大基因是国企吗备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名(míng)单，设备华大基因是国企吗国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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