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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安(ān)全审对付睡完就跑的男人，报复睡完就跑的男人查办公室依(yī)法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务对付睡完就跑的男人，报复睡完就跑的男人进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市(shì)公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第(dì)一大、第(dì)二(èr)大和第(dì)三(sān)大供(gōng)应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果(guǒ)美(měi)光在(zài)中国区(qū)销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技(对付睡完就跑的男人，报复睡完就跑的男人jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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