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　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行(xíng)社保二级单位编码是什么意思，单位编码是什么意思呀网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存(cún)储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，20社保二级单位编码是什么意思，单位编码是什么意思呀22年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外(wài)广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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