大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法对(duì)美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论辣妹是夸人还是骂人的，辣妹是夸人还是骂人的话。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室(shì)按照(zhào)《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jū辣妹是夸人还是骂人的，辣妹是夸人还是骂人的话n)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需(xū)求(qiú)。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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