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　　美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产魏承泽作品集 魏承泽一类的作者品进行了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的(de)结(jié)论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的(de)是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网魏承泽作品集 魏承泽一类的作者络安全问题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全(quán)的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月魏承泽作品集 魏承泽一类的作者31日，中国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维(wéi)护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存(cún)储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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