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　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全的必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhìsiki老师是哪个大学的？)下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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