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　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按照(z乐福鞋按什么鞋码买，乐福鞋不适合什么人穿hào)《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发(fā)文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰(乐福鞋按什么鞋码买，乐福鞋不适合什么人穿fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要(yào)经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份额(é)提升，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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