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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依(yī龙有几个爪 龙有两个根吗)法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自(zì)中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK龙有几个爪 龙有两个根吗 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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