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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信(xìn)息基础设施的(de)运营者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息基础设施至圣指儒家哪位代表人物是哪位圣人呢，至圣指儒家哪位代表人物是哪位圣人的称号安(ān)全，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的(de)存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供至圣指儒家哪位代表人物是哪位圣人呢，至圣指儒家哪位代表人物是哪位圣人的称号应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列(liè)江波龙第(dì)一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜至圣指儒家哪位代表人物是哪位圣人呢，至圣指儒家哪位代表人物是哪位圣人的称号沉积(jī)）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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