大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的(de)是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōn湖南信息学院是几本公办的吗，湖南信息学院是几本,学费多少g)司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优势，公(gōn湖南信息学院是几本公办的吗，湖南信息学院是几本,学费多少g)司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 湖南信息学院是几本公办的吗，湖南信息学院是几本,学费多少