大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　为什么负负得正怎么推理，乘法为什么负负得正审(shěn)查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美(měi)光公司产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家安全(quán)的(de)必要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品服(fú)务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全(quán为什么负负得正怎么推理，乘法为什么负负得正le='color: #ff0000; line-height: 24px;'>为什么负负得正怎么推理，乘法为什么负负得正)，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从(cóng)此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下(xià)游市场的(de)供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 为什么负负得正怎么推理，乘法为什么负负得正