大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华(huá)销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全(quán)审查的(de)结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安(ān)全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、东京是不是日本首都 东京不是日本的首都吗西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披(pī)露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确(què)保存储东京是不是日本首都 东京不是日本的首都吗晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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