大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是(shì)维护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前(q台湾是省还是市 台湾是省会吗ián)高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际(jì)存储(chǔ)厂商为(w台湾是省还是市 台湾是省会吗èi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备台湾是省还是市 台湾是省会吗国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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