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　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现(xiàn)，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全中元节一般过几天，鬼节不能吃什么东西问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施安全(quán)，是维(wéi)护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水(sh中元节一般过几天，鬼节不能吃什么东西uǐ)平(píng)对(duì)外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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